光通訊 CPO 深度科普:從異質整合、光耦合到晶圓測試的完整製程地圖
2026年3月27日2 分鐘閱讀👁 1
原文摘要
作者從供應鏈從業者視角,完整介紹**共同封裝光學(Co-Packaged Optics,CPO)**的製程脈絡。從傳統銅線的物理極限,一路講到異質封裝、光耦合、晶圓測試。
背景:為什麼需要 CPO?
傳統銅線在 400G → 800G → 1.6T 的速率升級中遭遇物理極限:
- 高頻訊號的**介電耗損(Skin Effect)和電磁干擾(EMI)**越來越嚴重
- 需要在傳輸路徑加入 Retimer 和 DSP → 延遲增加、功耗更大(反效果)
- 傳統可插拔模組:每 bit 消耗 ~15 pJ/bit
CPO 的目標:把 PIC(光子積體電路)和 EIC(電子積體電路)透過先進封裝整合在載板上,預期將傳輸能耗降到 5 pJ/bit 甚至更少。
三大技術主軸
1. 異質整合
2.5D 架構:EIC + PIC 並排在矽/玻璃中介層上,透過 Micro-bump 和 RDL 連結。
3D 架構(TSMC COUPE):
- 用 SoIC-X 技術,電學晶片 3D 堆疊在光學晶片之上
- 效率提升 170%、功耗降低 40%(碾壓 2.5D 封裝)
- 不用錫球,用銅對銅(Cu-to-Cu)直接融合(原子級平整 + 低溫鍵合)
ASE VIPack 方案:FOPLP(扇出型面板封裝),成功開發「具扇出光波導之超大尺寸矽光子封裝系統」,支援 200G+ 單通道傳輸。
技術痛點:CTE(熱膨脹係數)差距過大導致晶片翹曲;矽光元件怕熱(溫度升 8 度,微環共振波長偏移 0.4nm)。
2. 光耦合
兩種方式:
- 光柵耦合器:在蝕刻階段完成,垂直耦合,頻寬窄、插入耗損高(>1dB)
- 邊緣耦合器:需要精密對準 + 微透鏡或模場轉換器,耗損低、頻寬大,但量產難度高
光纖陣列對位:
- 被動對位:速度快,良率不足(CPO 要求對位公差在 20~50 奈米)
- 主動對位:6-DOF 微型機器人即時測量、動態回饋,補償材料公差
- 業界正在開發多通道平行對位法(FMPA、FMSA),把對位時間縮短到秒級
3. 晶圓測試
KGD(Known Good Die):封裝前先測試,避免組裝後才發現光學通道失效。
挑戰:
- 矽光晶圓需要同時測電學和光學(探針要在次微米精度下對準光柵)
- 3D 堆疊造成正反面都有微凸塊和光學結構,需要雙面探測
- 極端溫度測試(-40°C ~ 105°C),CTE 差異可能破壞光學對位
供應鏈玩家
- TSMC:COUPE 技術(SoIC-X + COWOS)
- ASE:VIPack(FOPLP)大規模量產方案
- FOCI:光纖陣列連接器(FAU)
- Browave:光纖套件
- 台積電(2330):作者認為 Tier 1,CPO 最完整佈局
核心觀點
這篇是光通訊 CPO 完整地圖。從技術結構看,三個關鍵投資邏輯:
- 算力越提升,光通訊越必要:800G/1.6T 時代銅線已是物理瓶頸
- CPO 的壁壘在封裝工藝,不在模型:TSMC 和 ASE 的領先地位來自製程積累
- 測試是常被忽視的環節:每個 CPO 模組的光電測試成本高,專業測試廠有護城河